CRESCIMENTO
Equipamentos para Crescimento de Semicondutores:
Reator MOVPE
Reator de crescimento epitaxial pela técnica de Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE).
Fontes: Ga, In, Al, P, As, Zn, C e Si.
PROCESSAMENTO
Equipamentos para o Processamento das Amostras:
Spinner
Deposição de fotoresist para o processamento de amostras.
Alinhadora de máscaras
Fotogravação.
Microssoldadora
Realização de contatos nas amostras previamente processadas.
Evaporadora térmica e por feixe de elétrons. Metalização no processamento de amostras.
Forno
Tratamentos térmicos até 1000ºC.
ANÁLISE
Equipamentos para a Análise e Caracterização das Amostras:
Microscópio óptico
Avaliação da qualidade da superfície das amostras.
Estação de pontas
Caracterização DC de diodos.
Perfilômetro espacial
Determinação de taxas de crescimento e de corrosão.
Difratômetro de raios-X
Determinação do parâmetro de rede, da qualidade cristalina, da composição das diferentes ligas e da tensão decorrente de um descasamento no parâmetro de rede.
Efeito Hall a 77 K e 300 K
Determinação da concentração de portadores livres de corrente e da sua mobilidade.
Perfilômetro de capacitância vs voltagem
Determinação da concentração líquida de carga na amostra e do perfil em profundidade de dopagem.
Fotoluminescência convencional, absorção e fotocorrente
Estudo das propriedades ópticas e optoeletrônicas entre 4,2 K e 300 K.
Fotoluminescência resolvida espacialmente
Micromapeamento a 300 K com spot de excitação inferior a 2 µm.
Espectrometro de Fourier
Medidas de transmissão e absorbância entre 1,3 µm e 200 µm.
Campo próximo
Caracterização de guias de onda.
